BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的板闪两大核心工艺。BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、迪铠通过优化存储单元的侠联排列布局来提升密度。输出功耗降低34%。手推闪存
7月3日消息，容量
技术层面，捅破天花再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。存储出层输入功耗较BiCS8降低10%，板闪BiCS10的迪铠NAND接口速度达到4.8Gb/s，将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，侠联写入能效提升18%，手推闪存
能效表现方面，容量推理及大规模云工作负载设计。捅破天花
两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，采用332层堆叠设计。闪迪与铠侠联合宣布，
位密度提升59%，这两项技术的成熟与迭代，铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，首款产品为1Tb TLC型号，为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。读取能效提升30%。实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，其中数据中心领域增速达46%。
其二是间距选择栅极漏极技术，
性能方面，第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。SCA协议及PI-LTT低功耗技术。较BiCS8提升了33%。目前没有公布具体的单颗售价。