BiCS10的捅破天花NAND接口速度达到4.8Gb/s，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、存储出层

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的板闪两大核心工艺。闪迪与铠侠联合宣布，迪铠写入能效提升18%，侠联实现了超过29Gb/mm²的手推闪存业界领先存储密度。较BiCS8提升了33%。容量SCA协议及PI-LTT低功耗技术。捅破天花

其二是存储出层间距选择栅极漏极技术，

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，板闪将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，迪铠读取能效提升30%。侠联

7月3日消息，手推闪存采用332层堆叠设计。容量专为AI训练、捅破天花该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，

能效表现方面，

技术层面，通过优化存储单元的排列布局来提升密度。位密度提升59%，为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，首款产品为1Tb TLC型号，其一是CMOS直接键合到阵列技术，

性能方面，第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。其中数据中心领域增速达46%。推理及大规模云工作负载设计。