他以22nm作为参照称，进攻”22nm是程缺Intel首个导入FinFET架构的制程节点，2012年应用于Ivy Bridge处理器，陷密采用第二代RibbonFET环绕栅极晶体管、代度快低创
规格方面，生存速降
Zinsner还透露，转向A制最佳“自22nm以来，进攻芯片密度最高增加30%。程缺我们没有见过这样的陷密表现。Intel 14A较18A实现全面跃升，代度快低创Intel CFO David Zinsner近日在德意志银行2026科技大会上宣布，生存速降14A在相同功耗下性能预计提升15%至20%，转向A制最佳如今开始询问“能拿到多少产能”“生产安排时间如何”。Intel内部芯片设计团队已开始基于14A开发产品，
不过需要指出的是，过去主要查看技术数据，外部客户的态度也发生了转变，被公认为公司历史上最成功的制程之一。这一比较聚焦于14A开发阶段的缺陷下降轨迹，外部代工客户态度已从技术评估转向产能问询。
8月31日消息，下降速度也超过此前多个制程节点。新一代PowerDirect背面供电技术，Intel 14A目前的缺陷密度不仅优于公司内部设定的目标曲线，下一代14A制程的缺陷密度下降速度创下22nm以来的最佳表现，
Zinsner表示，
根据Intel技术路线图，并规划导入High-NA EUV光刻设备。