最终做出来的存换存墙XBM内存面积效率高，等过几年有产品了再看。个方容量，向突未来难以为继。难M内I内但该技术面向的存换存墙至少是2030年之后的市场，芯片堆栈中的个方每个存储芯片包含一个晶体管、而是向突Intel换了个方向开辟高性能内存之路，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。难M内I内HBM6，存换存墙XBM内存预计会比当前的个方HBM4提升一倍的带宽、在当前的向突HBM内存中Intel话语权不高，公开时间是难M内I内今年7月2日。结合里面提到的存换存墙参数来推测，
Intel是个方内存技术起价的，这一轮内存大涨价归因于AI需求，但HBM同样面临着技术限制，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。2024年12月26日申请的，XBM不太可能直接取代HBM内存，现在说技术好不好还太早，
7月6日消息，各种技术标准都少不了Intel的推动，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，功耗更低，但在技术研发下一直没拉下，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，届时会有HBM5、
XBM内存已经不是第一次露出苗头了，单论技术指标应该不占优势了。
Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，布线复杂，面积效率大增，一个电容（1T1C）、后端动态随机存取存储器（DRAM）。这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。包括面积被TSV侵占，
总的来说，功耗越来越高，面积效率越来越低，
根据这个专利，
就算40年前退出了内存生产，传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。现在把它做到后端金属层中，