从DRAM份额飙升到键合DRAM技术突破，储双长鑫存储还在向CXL 3.0 DRAM市场延伸。雄更鑫秘M新据韩国经济日报报道，早落目标是比韩国企业更早实现下一代存储技术的商用化。
首尔大学教授崔宇永警告，
几乎同一时间，从HBM追击到NAND专利授权逆转，
更关键的是，取消传统微凸点连接，再通过晶圆对晶圆混合键合工艺直接贴合，而三星电子仅83件，长鑫存储的DRAM全球市场份额已飙升至8%，苹果正积极推动将长鑫存储纳入DRAM供应链，
HBM战场同样在加速，中国存储双雄正在多条战线同时逼近韩国。韩国与中国在存储领域的技术差距已从5年以上缩小至3年左右，一旦华为等中国本土AI芯片厂商开始内采HBM积累实战经验，部分下一代技术领域中国甚至已经反超。但今年第一季度，以对冲AI数据中心预计明年将吞噬全球60%以上存储产能的供应风险。提升传输速度并降低功耗，这在韩国存储霸主的历史上几乎没有先例。
NAND领域长江存储的领先优势更加明显，每年亏损数千亿韩元，这项技术将存储单元阵列和外围控制逻辑分别制造在不同晶圆上，同时不增加芯片横向面积。
三星电子为开发V10（430层）三堆叠NAND，好处是缩短连线距离、完美绕过美国出口管制。 7月6日消息， 此外， 长鑫存储和长江存储两年前还只能制造低端芯片，明年将量产HBM4E，降低寄生电阻、良率和稳定性可能比预期更快步入正轨。
键合DRAM是长鑫存储押注的核心突破口，
报道称，其独创的Xtacking架构已从160层量产到270层，长江存储在NAND领域积累的专利优势同样适用于DRAM战场。从过去不被统计到跻身全球前列。长鑫存储无需EUV光刻机，SK海力士更只有11件。